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姓名 王猛

职务 准聘教授 博士生导师

办公电话：

电子邮件：wangmeng@bit.edu.cn

办公地点：北京理工大学良乡校区工训楼719

所在学科  

集成电路科学与工程

研究方向 

超低功耗类脑芯片和数据存储器件。

个人简历

2024/03-至今，北京理工大学，华体育app登录入口，准聘教授

2020/01-2024/03，日本理化学研究所（RIKEN），CEMS, 博士后研究员

2019/07-2019/12，清华大学，物理系，研究助理

2014/09-2019/07，清华大学，物理系，博士 （导师，于浦教授）

2010/09-2014/07，同济大学，物理科学与工程学院，学士

代表性论著

(1) M. Wang^†, J. Zhang, D. Tian, P. Yu, and F. Kagawa^†. “Unveiling an in-plane Hall effect in rutile RuO₂ films”. Commun. Phys. 8, 28 (2025).

(2) J. Zhang*, S. Shen*, D. Puggioni*, M. Wang*, H. Sha*, W. Xing, X. Xu, Y. Lyu, H. Peng, W. Xing, L. N. Walters, L. Liu, Y. Wang, D. Hou, C. Xi, L. Pi, H. Ishizuka, Y. Kotani, M. Kimata, H. Nojiri, T. Nakamura, T. Liang, D. Yi, T. Nan, J. Zang, Z. Sheng, Q. He, S. Zhou, N. Nagaosa, C. -W. Nan, Y. Tokura, R. Yu, J. M. Rondinelli, and P. Yu, “An intrinsic ferromagnetic polar metal by design”. Nat. Mater. 23, 912-919 (2024).

(3) M. Wang,^† K. Tanaka, S. Sakai, Z. Wang, K. Deng, Y. Lyu, C. Li, D. Tian, S. Shen, N. Ogawa, N. Kanazawa, P. Yu, R. Arita, and F. Kagawa^†, “Emergent zero-field anomalous Hall effect in a reconstructed rutile antiferromagnetic metal”. Nat. Commun. 14, 8240 (2023).

(4) S. Shen*, M. Wang*, Y. Zhang, Y. Lyu, D. Tian, C. Gao, Y. Long, J. Zhao, and P Yu, “Coexistence of both localized electronic states and electron gas at rutile TiO₂ surfaces”. Adv. Mater. 35, 2301453 (2023).

(5) M. Wang, L. Hao, F. Yin, X. Yang, S. Shen, N. Zou, H. Cao, J. Yang, N. Lu, Y. Wu, J. Zhang, H. Zhou, J. Li, J. Liu, and P. Yu, “Manipulate the electronic state of Mott iridate superlattice through protonation induced electron-filling”. Adv. Funct. Mater. 31, 2100261 (2021).

(6) M. Wang, X. Sui, Y. Wang, Y.-H. Juan, Y. Lyu, H. Peng, T. Huang, J. Zhang, Z. Li, S. Shen, C. Guo, H. Li, N. Lu, A. T. N’Diaye, E. Arenholz, S. Zhou, Q. He, Y.-H. Chu, W. Duan and P. Yu, “ Manipulate the electronic and magnetic states in NiCo₂O₄ films through electric-field induced protonation at elevated temperature ”. Adv. Mater. 31, 1900458 (2019).

(7) M. Wang, S. Shen, J. Ni, N. Lu, Z. Li, H. Li, S. Yang, T. Chen, J. Guo, Y. Wang, H. Xiang and P. Yu, “Electric‐field‐controlled phase transformation in WO₃ thin films through hydrogen evolution”. Adv. Mater. 29, 1703628 (2017).

研究成果

提出并发展了氢离子栅极调控WO₃实现多态非易失阻变的方法，已被广泛用于人工神经网络的突触器件。合成了一系列内禀铁磁极化金属量子材料，并提出了极化金属形成与磁电耦合的新机理，可广泛用于非线性光学、量子光学和自旋电子学的信息器件。在Nature、Science等期刊发表论文二十余篇，其中第一(含共一)作者Nat. Mater.一篇，Nat. Commun.一篇，Adv. Mater. 三篇，被引3000余次。未来，将聚焦超低功耗的类脑芯片与数据存储器件开发，解决材料生长与微纳加工的一系列难题；计划每年招收硕博研生1-2名，欢迎感兴趣的学生或博后邮件联系。

主持课题

国家自然科学基金，青年科学基金项目（C类）（2026.01-2028.12，30万元）

北京市自然科学基金，交叉融合重点项目子课题（2025.09-2029.08，50万元）

荣获奖项

2019年，清华大学物理系”吴有训奖“

2024年，入选北京理工大学”特立青年学者“

2025年，获得国家级青年人才项目（海外）。

学术兼职

中国物理学会固体缺陷专业委员会青年工作委员会委员 （2025-2028）